Производственный комплекс по выпуску силовых транзисторов планируют построить в Воронежской области

Группа компаний «Элемент», являющаяся одним из ведущих разработчиков и производителей микроэлектроники в России, запускает масштабный инвестпроект по созданию первого в стране полного цикла производства силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Общий объем инвестиций в инициативу составит 4,4 миллиарда рублей. Площадкой для реализации проекта выбрано одно из ключевых предприятий группы — Воронежский научно-исследовательский институт электронной техники (НИИЭТ), обладающий значительным технологическим заделом в области силовой и СВЧ-электроники.

Как сообщили представители компании, новый проект позволит не только расширить существующие производственные мощности НИИЭТ, но и вывести их на принципиально новый уровень. Сегодня институт уже занимается серийной сборкой высокочастотных и силовых GaN-транзисторов, а с введением кристального производства компания получит возможность полностью контролировать весь технологический процесс — от выращивания эпитаксиальных структур до выпуска готовых полупроводниковых приборов. Это станет важнейшим шагом к достижению технологической независимости в производстве критически важных компонентов для российской промышленности.

Нитрид галлия — перспективный полупроводниковый материал, обладающий рядом преимуществ перед традиционным кремнием. Благодаря высокой подвижности электронов, устойчивости к нагреву и способности работать на высоких частотах, GaN-транзисторы обеспечивают более высокую энергоэффективность, компактность и надёжность устройств. Они находят применение в современных блоках питания, включая серверные системы, в источниках бесперебойного питания, а также в телекоммуникационном оборудовании — в частности, в модулях усиления радиосигнала, где требуются высокая мощность и стабильность работы.

Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тысячи пластин в год в 200-миллиметровом эквиваленте. Такой объём позволит обеспечить потребности как отечественных производителей электроники, так и смежных отраслей, включая энергетику, транспорт и цифровую инфраструктуру.

Финансирование проекта осуществляется в рамках механизма Кластерной инвестиционной платформы (КИП), оператором которой выступает Фонд развития промышленности. Программа направлена на поддержку высокотехнологичных производств, ориентированных на импортозамещение и развитие собственной элементной базы. Льготное финансирование позволяет снизить барьеры для внедрения сложных технологий и ускорить выход продукции на рынок.

Выбор НИИЭТ в качестве площадки для запуска кристального производства обусловлен его многолетним опытом в разработке и серийном выпуске силовых приборов на нитриде галлия. Институт обладает квалифицированными кадрами, современной испытательной базой и соответствующей лицензионной и нормативной документацией, что создаёт все условия для успешной реализации проекта.

Реализация инициативы укрепит позиции России в глобальной микроэлектронике, снизит зависимость от импортных компонентов и обеспечит отечественную промышленность высокотехнологичными решениями, необходимыми для развития цифровой экономики.